主 板

1、选型表:


TVS

PNR

VRWM(V)

IPP(A)

VCtyp(V)

CJtyp(pF)

Package

DataSheet

OVE10E32F1M

4.3

40

10

90

DFN1006

OVE10E32F1M

OVE2932R1

3.3

10

7.2

20

DFN1006

OVE2932R1

OVE2632A1

5

6.5

8.5

18

DFN1006

OVE2632A1


LDO

PNR

Vin(V)

Vout(V)

Iout(mA)

Ignd(uA)

PSRR(db)@1KHz

Package

DataSheet

OV1154 Series

2-6

1.2-3.6

500

0.8

70

SOT23-3  SOT23-5   SOT89-3  DFN1x1

OV1154 Series

OV1151 Series

1.9-15

1.8-5

500

1

80

SOT23-3 SOT23-5 SOT89-3 SOT89-5

OV1151 Series


SBD

PNR

VR(V)

IF(A)

VF@IF(V)

IR@VR(mA)

Package

DataSheet

OVB320A Series

20-200

3

0.55-0.95

0.05-50

SMA

OVB320A Series

OVB32TL32AGA

30

0.2

0.50

0.5

DFN1006

OVB32TL32AGA


MOS

PNR

Type

VDS (V)

VGS(±V)

ID(A)

Vgs(th)/V

Rdson @4.5V(Ω)

Package

DataSheet

OVM6013ET3

N

60

20

0.2

2.5

4

SOT-323

OVM6013ET3

OVM30N31T

N

30

12

5.6

1.5

0.031

SOT-23

OVM30N31T


Zener

PNR

VZ(V)min

VZ(V)max

PD(mW)

IZT(mA)

IR(uA)

Package

DataSheet

OVZP020VxxxD3 Series

1.8-70

2.15-79

200

2/5

0.1-100

SOD323

OVZP020VxxxD3 Series

OVZP0152V0D5 Series

1.85-48

2.15-54

150

2/5

0.1-100

SOD523

OVZP0152V0D5 Series


2、应用环境:    

       设备便携、由电池供电、有多接口、高低压混合、频繁插拔、电磁环境复杂均需要抗干扰;


3、应用方式:

       充电端使用稳压管和二极管防止充电部分的高压输入与正负极反接;

       MOS管作为开关,无检测信号时降低功耗;

       ESD、TVS防止静电干扰信号;


4、电路图


主 板